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集微网消息，在半导体行业，氧化镓（Ga2O3）作为继SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）之后的下一代功率半导体材料而备受瞩目。日前韩国举办了“氧化镓功率半导体技术路线图研讨会”，会上公布了氧化镓专利申请情况。
据韩媒The Elec报道，根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析，截至2021年9月共有1011件专利，其中中国拥有328件，日本拥有专利313件，两国专利数量占总数的50%以上。2021年9月至2022 年11月新增的460件专利中，大部分来自中国（240 件）和日本（87件）。
AnA Patent专利代理人洪承勋（音译）表示，“仅过了1年零2个月，氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50%左右，世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力，但值得关注的是，中国和日本申请了大量专利。”
（校对/王云朗）
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