推进InGaAs MOSFET的发展

2023-08-16 21:59:15    来源:宽禁带联盟    

与HEMT相比,InGaAs MOSFET更易于生产,对极高频应用而言是有力候选

台湾研究人员开发出了反转模式InGaAs MOSFET,据称其跨导和截止频率(fT)都很出色。

国立阳明交通大学团队的研究应该有助于开发亚毫米波源,亚毫米波源可用于下一代无线通信网络和高分辨率成像系统。研究人员表示,基于GaA和InP的HEMT可用于射频应用,对这些器件来说,他们的晶体管是有吸引力的替代品,但在规模化方面具有挑战性,而且要生长异质结构,还需要复杂的外延工艺。


(相关资料图)

据称III-V MOSFET可以解决这个问题,采用InGaAs量子阱的MOSFET可产生令人印象深刻的结果,包括370 GHz的ft和400 GHz的最大截止频率(fmax)。团队发言人Jing-Yuan Wu说道,“[但是]在我看来,量子阱器件的外延结构和制造工艺都很复杂。”他指出,反转模式器件具有表面沟道,结构更简单,且可利用CMOS兼容工艺来制造。

虽然量子阱器件的性能略高于Wu及其同事生产的MOSFET,但后者据称商业价值更高,成本更低,且易于片上系统集成,未来这些将是有前途的特质。

台湾团队开始生产晶体管,将3英寸InP衬底装入MBE反应器,并沉积无意掺杂InAlAs的缓冲层,厚度为100 nm(旨在减少信号损失),以及掺杂In0.53Ga0.47As的浅p型沟道,厚度为50 nm。

为了用这些外延片生产器件,研究人员用稀释的HCl去除了原生氧化物,利用原子层沉积(ALD)添加了10 nm Al2O3罩,来保护In0.53Ga0.47As表面,并使用光刻法定义有源区域。随后,研究人员利用硅注入和快速热退火,添加了源极区域和漏极区域,然后应用稀释的HF去除Al2O3罩,使用ALD添加AlN界面钝化层和Al2O3栅极电介质,最后在此结构中引入接通电。

Wu及其同事比较了一些器件的性能,这些器件的栅极长度范围为75 nm至400 nm。跟预期一样,漏极电流随栅极长度增长而升高,在栅极长度范围内增加了三倍,栅极和漏极偏压为1.0V时,漏极电流达到峰值816 mA/mmm。

漏极-源极电压为0.7V时,栅极最短的晶体管达到跨导峰值1035 mS mm-1。研究团队使用0.7 V的漏源电压和0.2 V的栅源电压,结合外推法与小信号模型,确定ft和fmax的值分别为275 GHz和75 GHz。

Wu表示,fmax值低是因为TiN栅层叠的电阻非常高。“为了提高fmax值,我们将尝试引入一种电阻低的金基合金。”

该团队晶体管的fT值随栅极长度缩短而升高。根据TCAD模拟,栅极长度为15 nm时,该晶体管的fT值可达到529 GHz。

对ft和栅极长度产生的指标进行基准测试,表明与硅及其他InGaAs MOSFET相比,这一研究团队的器件性能更优。

Wu及其同事认为,之所以存在这种优势,是因为In0.53Ga0.47As沟道具备优异的载流子传输特性。在In0.53Ga0.47As沟道中,电子速度为2.88 x 107 cm s-1。

该研究团队表示,研究结果表明,未来InGaAs MOSFET在毫米波和亚太赫兹应用中有着巨大潜力。

参考文献

J.-Y. Wu et al. Appl. Phys. Express 16 041007 (2023)

[责任编辑:h001]
关键词:

相关新闻

联系邮箱:99 25 83 5@qq.com

备案号:豫ICP备2020035338号-4 营业执照公示信息

产经时报 版权所有